Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
dopant density — legiravimo priemaišų tankis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. dopant density; doping impurity density vok. Dotierstoffdichte, f; Dotierungsdichte, f rus. плотность легирующей примеси, f pranc. densité de dopant, f; densité d… … Radioelektronikos terminų žodynas
Doping (semiconductor) — In semiconductor production, doping intentionally introduces impurities into an extremely pure (also referred to as intrinsic) semiconductor for the purpose of modulating its electrical properties. The impurities are dependent upon the type of… … Wikipedia
Dotierstoffdichte — legiravimo priemaišų tankis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. dopant density; doping impurity density vok. Dotierstoffdichte, f; Dotierungsdichte, f rus. плотность легирующей примеси, f pranc. densité de dopant, f; densité d… … Radioelektronikos terminų žodynas
Dotierungsdichte — legiravimo priemaišų tankis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. dopant density; doping impurity density vok. Dotierstoffdichte, f; Dotierungsdichte, f rus. плотность легирующей примеси, f pranc. densité de dopant, f; densité d… … Radioelektronikos terminų žodynas
densité d'impureté dopante — legiravimo priemaišų tankis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. dopant density; doping impurity density vok. Dotierstoffdichte, f; Dotierungsdichte, f rus. плотность легирующей примеси, f pranc. densité de dopant, f; densité d… … Radioelektronikos terminų žodynas
densité de dopant — legiravimo priemaišų tankis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. dopant density; doping impurity density vok. Dotierstoffdichte, f; Dotierungsdichte, f rus. плотность легирующей примеси, f pranc. densité de dopant, f; densité d… … Radioelektronikos terminų žodynas
legiravimo priemaišų tankis — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. dopant density; doping impurity density vok. Dotierstoffdichte, f; Dotierungsdichte, f rus. плотность легирующей примеси, f pranc. densité de dopant, f; densité d impureté dopante, f … Radioelektronikos terminų žodynas
плотность легирующей примеси — legiravimo priemaišų tankis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. dopant density; doping impurity density vok. Dotierstoffdichte, f; Dotierungsdichte, f rus. плотность легирующей примеси, f pranc. densité de dopant, f; densité d… … Radioelektronikos terminų žodynas
Electron mobility — This article is about the mobility for electrons and holes in metals and semiconductors. For the general concept, see Electrical mobility. In solid state physics, the electron mobility characterizes how quickly an electron can move through a… … Wikipedia
MOSFET — Two power MOSFETs in the surface mount package D2PAK. Operating as switches, each of these components can sustain a blocking voltage of 120 volts in the OFF state, and can conduct a continuous current of 30 amperes in the ON state, dissipating up … Wikipedia
